FDB6676S_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: TO-263AB
數(shù)量：: 4803
說(shuō)明：: MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level

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FDB6676S_Q PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：89 ns
上升時(shí)間：11 ns
功率耗散：70 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：31 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263AB
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.006 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：76 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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