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中文參數如下:
工廠包裝數量:2500
功率耗散:3.1 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:13.4 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :21 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
電阻汲極/源極 RDS(導通):19 mOhms
漏極連續電流:8 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor
以上是FDD86102的詳細信息,包括FDD86102廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!