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FDR8508P

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 SuperSOT?-8
數量:
 5229  
說明:
 MOSFET SSOT-8 P-CH DUAL 30V
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FDR8508P-SuperSOT?-8圖片

FDR8508P PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:FDR8508P_NL
典型關閉延遲時間:24 ns
工廠包裝數量:750
上升時間:14 ns
功率耗散:0.8 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :9 S
下降時間:14 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SSOT-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.04 Ohms
漏極連續電流:3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是FDR8508P的詳細信息,包括FDR8508P廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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