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IPAW60R600P7SXKSA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO220-FP
數量：
 7201  
說明：
 MOSFET N-CH 600V 6A TO220
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IPAW60R600P7SXKSA1 PDF參數資料

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中文參數如下：
：-40°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：21W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：363 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 80μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：600 毫歐 @ 1.7A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：不適用于新設計
包裝：CoolMOS? P7
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是IPAW60R600P7SXKSA1的詳細信息，包括IPAW60R600P7SXKSA1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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