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IPB017N06N3 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-7
數量：
 2694  
說明：
 MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH
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IPB017N06N3 G-TO-263-7圖片

IPB017N06N3 G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GXT SP000434404
典型關閉延遲時間：79 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：80 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：206 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：198 S, 99 S
下降時間：24 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-7
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.7 mOhms
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB017N06N3 G的詳細信息，包括IPB017N06N3 G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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