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IPB011N04N G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263
數量：
 963  
說明：
 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 180A
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IPB011N04N G-TO-263圖片

IPB011N04N G PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGXT SP000388298
典型關閉延遲時間：63 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：10 ns
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0011 Ohms
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是IPB011N04N G的詳細信息，包括IPB011N04N G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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