IPB019N08N3 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：
數(shù)量：: 6930
說(shuō)明：: MOSFET OptiMOS3 PWRTrnsistr N-CH

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IPB019N08N3 G PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GXT SP000444110
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：86 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
功率耗散：300 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Quint Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0019 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：180 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：80 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

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