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IPD18DP10LMATMA1

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 PG-TO252-3
數(shù)量：
 2806  
說明：
 TRENCH >=100V PG-TO252-3
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IPD18DP10LMATMA1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：3W（Ta），83W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2100 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.04mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：178 毫歐 @ 13A， 10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.5A（Ta）， 13.9A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：OptiMOS?
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Infineon Technologies

以上是IPD18DP10LMATMA1的詳細信息，包括IPD18DP10LMATMA1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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