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NDD03N60Z-1G

廠家：
  ON Semiconductor
封裝：
 I-PAK
數量：
 6849  
說明：
 MOSFET NFET IPAK 600V 2.6A 3.6R
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NDD03N60Z-1G-I-PAK圖片

NDD03N60Z-1G PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：61 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：12 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值） ：2 S
包裝形式：Rail
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 125 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.3 Ohms
漏極連續電流：1.65 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NDD03N60Z-1G的詳細信息，包括NDD03N60Z-1G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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