NE32584C-S

廠家：: NEC/CEL
封裝：: Micro-X Ceramic (84 C)
數量：: 3249
說明：: 射頻GaAs晶體管 84C LO NO HJ FET

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NE32584C-S PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
包裝形式：Tube
封裝形式：Micro-X Ceramic (84 C)
安裝風格：SMD/SMT
功率耗散：165 mW
最大工作溫度：+ 150 C
漏極連續電流：90 mA
閘/源擊穿電壓：- 3 V
漏源電壓 VDS：4 V
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：60 mS
噪聲系數：0.45 dB
增益：12.5 dB
頻率：12 GHz
技術類型：pHEMT
RoHS：是
產品種類：射頻GaAs晶體管
制造商：NEC

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