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中文參數(shù)如下:
功率耗散:52 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:29 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :15 S
包裝形式:Reel
封裝形式:DPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):13 mOhms
漏極連續(xù)電流:40 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
以上是NTD5865NLT4G的詳細信息,包括NTD5865NLT4G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!