SI3529DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數量：: 3546
說明：: MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W

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SI3529DV-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI3529DV-E3
典型關閉延遲時間：8 ns, 5 ns at N Channel, 10 ns, 20 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：12.5 ns, 65 ns at N Channel, 12.5 ns, 38 ns at P Channel
功率耗散：1.15 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12.5 ns, 65 ns at N Channel, 12.5 ns, 38 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.125 Ohms, 0.215 Ohms
漏極連續電流：2.25 A, 1.76 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3529DV-T1-E3的詳細信息，包括SI3529DV-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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