SIHB16N50C-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 7241
說(shuō)明：: MOSFET N-Channel 500V

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SIHB16N50C-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：29 nS
上升時(shí)間：156 nS
功率耗散：38 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：68 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：3 S
下降時(shí)間：31 nS
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.38 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHB16N50C-E3的詳細(xì)信息，包括SIHB16N50C-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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