SIHB30N60E-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 4554
說明：: MOSFET N-Channel 600V

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SIHB30N60E-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：85 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：5.4 S
包裝形式：Tube
封裝形式：D2PAK-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：125 mOhms
漏極連續(xù)電流：29 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

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