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SIHG14N50D-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 4788
說明：: MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS

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SIHG14N50D-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：208 W
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-247AC
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：400 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：14 A
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG14N50D-E3的詳細信息，包括SIHG14N50D-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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