SIHG73N60E-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-247-3
數(shù)量：: 4995
說明：: MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts

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SIHG73N60E-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：290 ns
上升時間：158 ns
功率耗散：520 W
柵極電荷 Qg：362 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：180 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-247AC
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.039 Ohms
漏極連續(xù)電流：73 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIHG73N60E-E3的詳細(xì)信息，包括SIHG73N60E-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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