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中文參數如下:
零件號別名:SIHU5N50D-GE3
功率耗散:104 W
包裝形式:Bulk
封裝形式:IPAK (TO-251)
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.5 Ohms at 10 V
漏極連續電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:5 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHU5N50D-E3的詳細信息,包括SIHU5N50D-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!