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SQM110N06-06-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 2592
說明：: MOSFET 60V 120A 230W 6.0mohm @ 10V

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SQM110N06-06-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：34 ns
工廠包裝數(shù)量：800
功率耗散：230000 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：6 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQM110N06-06-GE3的詳細(xì)信息，包括SQM110N06-06-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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