中文參數(shù)如下:
工廠包裝數(shù)量:50
上升時間:5 ns
功率耗散:45 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220 SIS
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0078 Ohms
漏極連續(xù)電流:60 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:75 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK60A08J1(Q)的詳細信息,包括TK60A08J1(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!