| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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BSC12DN20NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | MOSFET N-CH 200V 11.3A | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：11.3 A，電... | ||||||
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BSC130P03LS G | Infineon Technologies | TDSON | 21 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -22.5A 13mOhm | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 ... | ||||||
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BSC150N03LD G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 1214 | MOSFET 30V SO-8 | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC152N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC159N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC160N10NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4926 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC16DN25NS3G | Infineon Technologies | PG-TDSON-8 | 4695 | MOSFET N-CH 250V 10.9A | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：10.9 A，電... | ||||||
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BSC190N12NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 5647 | MOSFET N-channel POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流：44 A，電阻汲... | ||||||
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BSC190N15NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3940 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：150 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
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BSC196N10NS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3794 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 45A | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC200P03LS G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OPTIMOS P-CH -30V -12.5A 20mOhm | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 25 ... | ||||||
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BSC205N10LS G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC22DN20NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 3624 | MOSFET N-Channel 200V MOSFET | |
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：7 A，... | ||||||
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BSC240N12NS3 G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-Channel 120V MOSFET | ||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：120 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：37 A... | ||||||
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BSC252N10NSF G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC265N10LSF G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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BSC320N20NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | 4894 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連... | ||||||
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BSC340N08NS3 G | Infineon Technologies | TDSON | 16326 | MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH | |
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：80 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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BSC360N15NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Channel 150V MOSFET | |||
| 參數：制造商：Infineon，RoHS：是，包裝形式：Reel，零件號別名：BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GXT SP0007781... | ||||||
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BSC440N10NS3 G | Infineon Technologies | TDSON-8 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | ||
| 參數：制造商：Infineon，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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