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中文參數如下:
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:3000
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.023 Ohms
漏極連續電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓:8 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:過渡期間
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI3499DV-T1的詳細信息,包括SI3499DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!