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中文參數如下:
典型關閉延遲時間:79 ns
上升時間:89 ns
功率耗散:446 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:125 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12.8 S
下降時間:68 ns
封裝形式:Super-247
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):130 mOhms at 10 V
漏極連續電流:36 A
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SIHS36N50D-E3的詳細信息,包括SIHS36N50D-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!