TK5Q60W,S1VQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: I-Pak
數量：: 4005
說明：: MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK

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TK5Q60W,S1VQ PDF參數資料

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中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：380 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 270μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：900 毫歐 @ 2.7A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：5.4A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：DTMOSIV
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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