Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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SiHG73N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-247-3 | MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：73 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SiHG73N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AC | MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：73 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHP10N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 400V 600mOhm@10V 10A N-Ch D-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續(xù)電流... | ||||||
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SIHP12N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Channel 500V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：500 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極... | ||||||
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SIHP12N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP12N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：12 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHP14N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 400mOhm@10V 14A N-Ch D-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，漏極連續(xù)電流：14 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHP15N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP15N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 16,655 | MOSFET 600V 280mOhm@10V 15A N-Ch E-SRS | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：15 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SiHP16N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 963 | MOSFET N-Channel 500V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，漏極連續(xù)電流：16 A，配置：Sin... | ||||||
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SIHP17N60D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 340mOhm@10V 17A N-Ch D-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：17 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SiHP17N60D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 17A 277.8W 340mOhm @10V | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，... | ||||||
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SIHP18N50C-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 997 | MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SiHP22N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SIHP22N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續(xù)電流：21 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHP22N60S-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 600V N-Channel Superjunction TO-220 | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SiHP24N65E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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SiHP24N65E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 650V 145mOhm@10V 24A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：650 V，漏極連續(xù)電流：24 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SiHP25N40D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 4,796 | MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電... | ||||||
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SiHP30N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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