Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIHP30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | - | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：29 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHP33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 702 | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHP5N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SiHP5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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SIHP6N40D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 400V 1ohm@10V 6A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHP7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIHP7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHP8N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SiHP8N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 280 | MOSFET 500V 8A 850mOhm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
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SIHS36N50D-E3 | Vishay/Siliconix | SUPER-247?（TO-274AA） | MOSFET 500V 130mOhm@10V 36A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，漏極連續電流：36 A，電阻汲極/源... | ||||||
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SIHU3N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 3.2ohm@10V 3A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SiHU3N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET 500V 3A 3.2Ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
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SIHU5N50D-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：5 V，漏極連續電流... | ||||||
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SiHU5N50D-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA | MOSFET 500V 5A 1.5Ohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：500 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續電... | ||||||
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SIHU7N60E-E3 | Vishay/Siliconix | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：7 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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SIHU7N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-251AA | MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHW30N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-3P-3 整包 | 159 | MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHW33N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AD | MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHW47N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-3P-3 整包 | 265 | MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：4 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIHW73N60E-GE3 | Vishay/Siliconix | TO-247AD | MOSFET 650V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，漏極連續電流：73 A，電阻汲極/源... | ||||||
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